AFOX DDR4 8G 2133 UDIMM memory module 8 GB 2133 MHz
<
>
<
>
Pildid on illustratiivsed. Nendel kujutatud toode võib erineda pakutavast või sisaldada tootekomplekti mittekuuluvaid osiseid.
TootjaAFOX
TootekoodAFLD48EK1P
Garantii
5 aastat
Hind79,69 €
Hind (km-ta)64,27 €
Tarneaeg
3-5 tp
Kogus5+ tk
Inbank järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
Telia järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
ESTO järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
- JEDEC Standard
- DDR4 Speed Grade : 2133 Mbps
- Unbuffered DIMM : 288-pin
- 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each
- Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
- CAS latency : CL15
- Bandwidth : 17000MB/s
- Data bus inversion (DBI) for data bus
- VDD voltage : 1.2V
- VDDQ voltage : 1.2V
- VPP voltage: 2.5V
- Serial presence detect with EEPROM
- PCB height : 1.23 inch (31.25mm)
- RoHS Compliant
- DDR4 Speed Grade : 2133 Mbps
- Unbuffered DIMM : 288-pin
- 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each
- Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
- CAS latency : CL15
- Bandwidth : 17000MB/s
- Data bus inversion (DBI) for data bus
- VDD voltage : 1.2V
- VDDQ voltage : 1.2V
- VPP voltage: 2.5V
- Serial presence detect with EEPROM
- PCB height : 1.23 inch (31.25mm)
- RoHS Compliant
Rea värskendustsükli aeg:
260 ns
Mälu ribalaius (max):
17 GB/s
Vastavus RoHSi nõuetele:
Y
CAS latency:
15
Mälu kiirus:
2133 MHz
Sisemälu:
8 GB
Sobivad kiibistikud:
Intel® H110
Programming power voltage (VPP):
2.5 V
ECC:
Ei
Rea tsükliaeg:
46.5 ns
Mälupaigutus (moodulid x suurus):
1 x 8 GB
Mälu pinge:
1.2 V
Buffered memory type:
Unregistered (unbuffered)
Memory channels:
Dual
JEDEC standard:
Jah
Rea aktiivsusaeg:
33 ns
Töötemperatuur:
0 - 85 °C
Säilitustemperatuur:
-55 - 100 °C
Kaal:
18 g
Laius:
133 mm
Kõrgus:
31 mm
Kiipide paigutus:
x8 FBGA DRAM chip
Warnings:
Dispose of in accordance with local regulations for electronic waste., Do not open the memory module housing., Protect from extreme temperatures.