AFOX DDR4 8G 2133 UDIMM memory module 8 GB 2133 MHz
<
>
<
>
Pildid on illustratiivsed. Nendel kujutatud toode võib erineda pakutavast või sisaldada tootekomplekti mittekuuluvaid osiseid.
TootjaAFOX
TootekoodAFLD48EK1P
Garantii
5 aastat
Hind62,60 €
Hind (km-ta)50,48 €
Tarneaeg
4-7 tp
Kogus5+ tk
Inbank järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
Telia järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
ESTO järelmaksu kalkulaator
Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.
- JEDEC Standard
- DDR4 Speed Grade : 2133 Mbps
- Unbuffered DIMM : 288-pin
- 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each
- Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
- CAS latency : CL15
- Bandwidth : 17000MB/s
- Data bus inversion (DBI) for data bus
- VDD voltage : 1.2V
- VDDQ voltage : 1.2V
- VPP voltage: 2.5V
- Serial presence detect with EEPROM
- PCB height : 1.23 inch (31.25mm)
- RoHS Compliant
- DDR4 Speed Grade : 2133 Mbps
- Unbuffered DIMM : 288-pin
- 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each
- Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
- CAS latency : CL15
- Bandwidth : 17000MB/s
- Data bus inversion (DBI) for data bus
- VDD voltage : 1.2V
- VDDQ voltage : 1.2V
- VPP voltage: 2.5V
- Serial presence detect with EEPROM
- PCB height : 1.23 inch (31.25mm)
- RoHS Compliant
Vastavus RoHSi nõuetele:
Y
Sisemälu:
8 GB
Rea tsükliaeg:
46.5 ns
Programming power voltage (VPP):
2.5 V
Mälupaigutus (moodulid x suurus):
1 x 8 GB
Buffered memory type:
Unregistered (unbuffered)
CAS latency:
15
Rea värskendustsükli aeg:
260 ns
Mälu ribalaius (max):
17 GB/s
Memory channels:
Dual
JEDEC standard:
Jah
Sobivad kiibistikud:
Intel® H110
Mälu kiirus:
2133 MHz
Rea aktiivsusaeg:
33 ns
Mälu pinge:
1.2 V
ECC:
Ei
Töötemperatuur:
0 - 85 °C
Säilitustemperatuur:
-55 - 100 °C
Kaal:
18 g
Laius:
133 mm
Kõrgus:
31 mm
Kiipide paigutus:
x8 FBGA DRAM chip
Warnings:
Dispose of in accordance with local regulations for electronic waste., Protect from extreme temperatures., Do not open the memory module housing.