Samsung 990 PRO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 1
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 2
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 3
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 4
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 5
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 6
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 7
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 8
  • Samsung MZ-V9P1T0BW tootepilt 9

Pildid on illustratiivsed. Nendel kujutatud toode võib erineda pakutavast või sisaldada tootekomplekti mittekuuluvaid osiseid.

TootjaSamsung
TootekoodMZ-V9P1T0BW
Garantii 5 aastat
Hind128,10 €
Hind (km-ta)103,31 €
Tarneaeg 3-5 tp
Kogus5+ tk
Inbank
Telia
ESTO

Inbank järelmaksu kalkulaator

Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.

Telia järelmaksu kalkulaator

Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.

ESTO järelmaksu kalkulaator

Tähelepanu! Järelmaks on finantskohustus,
millega kaasnevad kulud. Tutvu tingimustega siin.

Saadaval kiiremini

Random write (4KB):
1550000 IOPS
SSD capacity:
1 TB
Keskmine tõrgetevaheline aeg (MTBF):
1500000 h
Kirjutamiskiirus:
6900 MB/s
NVMe:
Jah
DevSlp (device sleep) support:
Jah
Security algorithms:
256-bit AES
S.M.A.R.T. support:
Jah
Interface:
PCI Express 4.0
NVMe version:
2.0
TRIMi tugi:
Jah
PCI Express interface data lanes:
x4
Random read (4KB):
1200000 IOPS
Lugemiskiirus:
7450 MB/s
Sobib seadmele:
PC
SSD form factor:
M.2
Mälu tüüp:
V-NAND MLC
Riistvaraline krüptimine:
Jah
Tööpinge:
3.3 V
Energiatarve (keskmine):
5.4 W
Energiatarve (max):
7.8 W
Vibratsioon töötamisel:
1500 G
Töötemperatuur:
0 - 70 °C
Max töötemperatuur:
70 °C
Laius:
80 mm
Sügavus:
2.3 mm
Kõrgus:
22 mm
Kaal:
9 g
Pakendi tüüp:
Karp
Warranty period:
5 year(s)
Warnings:
Protect against moisture., Do not disassemble the unit yourself., Do not expose to high temperatures.

Saada toode sõbrale